和刻蚀等步骤。

根据不同时代的技术工艺，会有不同的工艺区别，其中离子注入设备和光刻机这两大核心设备，就不得不提一下了。

众所周不知，离子注入设备是半导体制程中最为关键的工艺技术，是通过控制离子束的能量和剂量，可以改变材料的性质和结构。

更详细地解释，就是在硅晶圆中加入杂质元素，改变晶圆衬底材料的化学性质，包括载流子浓度和导电类型，但杂质注入会造成晶格损伤，这时需要退火工艺来修复硅晶格激活掺杂后的电晶体。

整个离子注入工艺的流程是离子源、离子加速器、离子质量分析器和扫描系统。

这些步骤，在国外，早已经不是什么稀罕技术了。

早在一九五零年的时候，北美人拉塞尔奥尔和威廉姆肖克莱就已经发明了离子注入工艺，并且后者在一九五四年的时候，就已经申请了这项发明的专利。

所以离子注入也是最早采用的半导体掺杂方法，它跟另一种掺杂方法，成为芯片制造的基本工艺之二。

一九五六年的时候，还是北美人，叫富勒的研究员发明了扩散工艺。

离子注入用于形成较浅的半导体结，扩散用于形成较深的半导体结。

这两种掺杂工艺就像炒菜中添加调味料，它是对半导体材料的“添油加醋”。

少量的其它物质掺进很纯的半导体材料中，使其变得不纯，对于半导体材料来说，其它物质就是杂质，掺入的过程就称为掺杂。

掺杂是将一定数量的其它物质掺加到半导体材料中，人为改变半导体材料的电学性能的过程。

除了离子注入设备之外，还有就是光刻机。

但是在提光刻机之前，不得不说一下结型场效应晶体管和金属氧化物半导体场效应晶体管这两者的区别了。

原时空历史上，一九五九年的时候，贝尔实验室的韩裔科学家江大原和马丁艾塔拉发明了金属氧化物半导体场效应晶体管。

这是

这个时空，陈国华比对方更早地发明了这样的晶体管，但也没有早多少天。

也因此，一九五九年这一年，陈国华研发晶体管计算机之后，这才开启了晶体管尺寸缩小工艺的发展之路。

众所周不知，电压控制的场效应晶体管是一种使用电场效应改变器件电性能的晶体管。

主要用于放大弱信号，主要是无线信号，放大模拟和数字信号。

同时它又分为结型场效应晶体管和金属氧化物半导体场效应晶体管，这两者也都主要用于集成电路，并且在工作原理上非常相似。

其中结型场效应晶体管是最简单的场效应晶体管，其中电流可以从源极流到漏极或从漏极流到源极。

而金属氧化物半导体场效应晶体管是一种四端半导体场效应晶体管，由可控硅氧化制成，所施加的电压决定了器件的电导率。

由于其高输入阻抗而在集成电路中起着至关重要的作用，它们主要用于功率放大器和开关，同时作为功能元件，金属氧化物半导体场效应晶体管在嵌入式系统设计中也是非常重要的。

二者的区别，就是结型场效应晶体管只能在耗尽模式下工作，反之金属氧化物半导体场效应晶体管可以在耗尽模式和增强模式下工作。

此外，结型场效应晶体管的高输入阻抗约为1010欧姆，这使其对输入电压信号敏感。

金属氧化物半导体场效应晶体管提供比结型场效应晶体管更高的输入阻抗，这得益于金属氧化物绝缘体，使得它们在栅极端的电阻更高。

简单来说，相比结型场效应晶体管，金属氧化物半导体场效应晶体管的优点在于耐压更高、泄露电流更小、输入阻抗更大。

所以不管如何，两者有相似的电性特点，但金属氧化物半导体场效应晶体管在大多数方面性能更优，是电路升级换代的首选器件！

接下来就是光刻工艺了，它是芯片制造的灵魂技术。

原时空的历史上，在一九五八年的时候，仙童半导体公司的诺伊斯、戈登摩尔等八叛逆，从照相机商店购买了三个16毫米镜头。

他们制作了一个步进和重复照相装置，用来制作掩膜，并且对掩膜板、光刻胶进行了改进。

这就是最原始的单个晶体管制造工艺。

华润公司出售的众多晶体管，便是这样的工艺制造出来的。

当然，振华研究所在后续制造出来的微米级别晶体管，自然是使用了其他工艺，而不是这样简陋工艺。

在原时空的历史上，仙童半导体的罗伯特诺伊斯在一九五九年的时候，就提出过一个技术设想：

“既然能用光刻法制造单个晶体管，那为什么不能用光刻法来批量制造晶体管呢？”

“把多种组件放在单一硅片上将能够实现工艺流程中的组件内部连接，这样体积和重量